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G1系列与G系列IPM封装尺寸兼容,内置损耗更低的

发布时间:2019-12-21 20:54   编辑:张家港三菱电机空调维修电话  点击数:[]

G1系列与G系列IPM封装尺寸兼容,内置损耗更低的第7代IGBT/FWD芯片,采用全新封装技术,可靠性更好;此外,全新驱动电路进一步降低了损耗和EMI噪声,G1系列的控制端子与G/L1系列兼容,可使用相同接口电路,主要功能是驱动电路和保护电路。

在封装技术上,第7代IPM 的G1系列的封装更薄更紧凑,体积减少了18——31%;A型封装更加适用于灵活布局的应用场景,比如G1系列可提供两种端子供选择。

为了适应变频市场的应用需求(高可靠性/低成本/小型化等)三菱开发了一系列的DIPIPM产品,它是一种双列直插型封装的IPM,其内置了HVIC,使其外围电路变得更加简单而节约成本,现已广泛应用于包括家电、小型变频器、工业伺服等产品中。

可以说,三菱电机半导体是压铸模封装IPM产品的先锋,针对不同的应用,三菱电机不断优化功率硅片,拥有最宽的产品线,在IPM上积累了丰富的经验,其产品在保持高性价比的同时,具有高可靠性和低故障率的保证。

10月29日,三菱电机开始发售搭载全新开发的低噪音的第7代IGBT芯片,同时实现低噪音和低功耗的全新系列“第7代超小型DIPIPM,该产品作为变频家电及工业马达驱动功率半导体模块的全新系列产品,有助于实现低噪音化和节能化。

新产品具有四个特点:1、搭载第7代CSTBT,通过同时实现低噪音和低功耗,支持广泛的应用,2、通过提高上限保证温,提高了逆变器的设计自由度;3、扩大超小型封装的额定电流至40A;4、确保与以往产品间的pin-to-pin兼容。

SiC功率模块凭借耐高温、低功耗和高可靠性的特点可以拓展更多应用领域,目前已经成为各企业争相布局的下一个制高点。

三菱电机超小型Full SiC DIPIPM™️使用SiC MOSFET实现低导通压降和二极管正向压降,使用SiC MOSFET自身体二极管作为FWDiI,减低反向恢复电流和噪声;可与超小型DIPIPM™️使用相同的PCB。

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